金融界2024年11月28日音问，国度学问产权局信息清爽，扬州扬杰电子科技股份有限公司肯求一项名为“一种坚固短路特质的SiC晶体管及制备步骤”的专利，公开号CN 119028823 A，肯求日历为2024年9月。

专利纲目清爽，一种坚固短路特质的SiC晶体管及制备步骤。触及半导体时间规模。包括如下步骤：S100，在SiC Sub层的顶面通过外延千里积酿成SiC Drift层，并SiC Drift层内注入酿成一层P区；S200，在SiC Drift层的顶面外延千里积酿成N区，并在N区内步骤酿成Pwell区和NP区，通过高温离子退火使注入区激活酿成；S300，在NP区的顶面向下刻蚀酿成沟槽；S400，在沟槽内酿成栅氧化层；S500，在沟槽里面通过多晶硅千里积神志酿成Poly层；S600，在栅氧化层和Poly层顶面酿成龙套介质层；S700，在NP区的顶面通过Ni金属溅射后快速热退火酿成正面欧姆战争合金层；S800，在器件最上方通过Ti和AlCu金属溅射酿成正面电极金属层。本发明幸免沟谈底部拐角栅氧化层的提前击穿失效，晋升了器件的使用可靠性。

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沟槽栅氧化层NP区SiC晶体管发布于：北京市